3N70KL-TN3-R场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微
型号:3N70KL-TN3-R 极性:N沟道;电压:700V 电流:3A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销
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3N70KL-TN3-R的概述:
3N70K是一种高电压和大电流功率MOSFET,旨在具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路中的高速开关应用。
3N70KL-TN3-R的特性:
* RDS(ON)≤4.0Ω@VGS=10V
* 超低栅极电荷(典型值10nC)
* 低反向传输电容
* 快速切换能力
* 指定雪崩能量
* 改进的dv/dt能力,高耐用性
3N70KL-TN3-R的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):
Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:700V
Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V
AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR:3.0A
ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,ID:3.0A
PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(注2),IDM:12A
AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS:90mJ
AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重复(注2),EAR:7.5mJ
PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt:4.5V/ns
PowerDissipation功耗,TO-220F,PD:25W
PowerDissipation功耗,TO-252,PD:50W
JunctionTemperature结温,TJ:+150°C
OperatingTemperature工作温度,TOPR:-55~+150°C
StorageTemperature储存温度,TSTG:-55~+150°C
注意:1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。
2.重复评级:脉冲宽度受最大结温限制
3.L=64mH,IAS=3A,VDD=50V,RG=25Ω,启动TJ=25°C
4.ISD≤3.0A,di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C
壹芯微3N70KL-TN3-R规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。
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