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2NM70G-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-26 浏览:-

2NM70G-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

2NM70G-TN3-R

型号:2NM70G-TN3-R 极性:N沟道;电压:700V电流:2A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

2NM70G-TN3-R参数中文资料,2NM70G-TN3-R封装管脚引脚图,2NM70G-TN3-R规格书:查看下载

2NM70G-TN3-R

2NM70G-TN3-R的概述:

2NM70是一种超级结MOSFET结构,旨在具有更好的特性,例如快速切换时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路中的高速开关应用。

2NM70G-TN3-R的特性:

RDS(ON)<3.0Ω@VGS=10V,ID=1.0A

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力,高耐用性

2NM70G-TN3-R

2NM70G-TN3-R绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:700V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V

Drain CurrentContinuous漏极电流连续,ID:2.0A

DrainCurrentPulsed脉冲漏极电流(注2),IDM:8.0A

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR:1A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS:69mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注4),dv/dt:3V/ns

PowerDissipation功耗,SOT-223,PD:10W

PowerDissipation功耗,TO-220,PD:45W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD:28W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD:40W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD:30W

JunctionTemperature结温,TJ:+150°С

StorageTemperature储存温度,TSTG:-55~+150°С

注意:1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制。

3.L=138mH,IAS=1.0A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25°C

4.ISD≤2.0A,di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

2NM70G-TN3-R

壹芯微2NM70G-TN3-R规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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