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1N60L-TN3-R场效应管,1N60L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-16 浏览:-

1N60L-TN3-R场效应管,1N60L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

1N60L-TN3-R场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):600V;电流(ID):1.2A;封装(Pageke):TO-252

大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号

L-TN3-R

漏源电压 VDSS 600 V

栅源电压 VGSS ±30 V

雪崩电流(注 2) IAR 1.2 A

连续漏极电流 ID 1.2 A

脉冲漏极电流(注 2) IDM 4.8 A

雪崩能量单脉冲(注 3) EAS 50 mJ

雪崩能量重复(注 2) EAR 4.0 mJ

峰值二极管恢复 dv/dt(注 4) dv/dt 4.5 V/ns

功耗 SOT-223 PD 8 W

功耗 TO-251/TO-252/TO-252D/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4 PD 28 W

功耗 TO-220 PD 40 W

功耗 TO-220F PD 21 W

功耗 TO-220F2 PD 23 W

功耗 TO-92(TA=25°С) PD 1 W

功耗 TO-126 PD 12.5 W

结温 TJ +150 °С

工作温度 TOPR -55 ~ +150 °С

储存温度 TSTG -55 ~ +150 °С

注意: 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级:脉冲宽度受最大结温限制

3. L=60mH,IAS=1A,VDD=50V,RG=25Ω,启动 TJ=25°C

4. ISD≤1.2A,di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

1N60L-TN3-R参数

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